公司動態(tài)
“基于超表面調(diào)控的氮化鎵基發(fā)光器件研究”國家重點研發(fā)計劃項目啟動會在格恩半導體順利召開
日前，由中國科學技術(shù)大學牽頭，安徽格恩半導體有限公司和南京郵電大學作為合作與參研單位共同開展聯(lián)合攻關(guān)的“十四五”國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項 “基于超表面調(diào)控的氮化鎵基發(fā)光器件研究”項目啟動會在安徽格恩半導體有限公司舉行。
項目啟動儀式由格恩半導體主辦，項目負責人孫海定教授主持，中國科學技術(shù)大學陳楊教授，南京郵電大學汪金副教授，公司總經(jīng)理李水清、副總經(jīng)理張江勇、技術(shù)中心總監(jiān)鄭錦堅以及相關(guān)項目核心骨干參會。
該項目面向國家新型顯示技術(shù)領域，以實現(xiàn)基于超表面的氮化鎵基發(fā)光器件的光場多自由度調(diào)控的迫切需求，開展氮化鎵基發(fā)光器件制備、超表面與氮化鎵基發(fā)光器件光電耦合物理機制以及一體化集成與動態(tài)可調(diào)微顯示應用等關(guān)鍵技術(shù)研究。項目充分結(jié)合中科大、南郵、格恩半導體三方在氮化鎵基光電器件、超表面研究領域的技術(shù)優(yōu)勢與產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，針對關(guān)鍵技術(shù)難題組建課題攻關(guān)小組，提高材料生長、器件制備、超表面設計和系統(tǒng)集成等方面的技術(shù)創(chuàng)新能力，實現(xiàn)攻堅克難與關(guān)鍵核心技術(shù)的突破，促進我國激光顯示以及新型顯示技術(shù)水平進入國際先進行列。
國家重點研發(fā)計劃項目對于格恩半導體來說既是挑戰(zhàn)亦是機遇，項目周期緊迫、任務艱巨，對格恩半導體的研發(fā)力量與協(xié)同能力提出了全新要求。為保證項目穩(wěn)步推進、高效落地，格恩半導體將以自身的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢融合中科大、南郵的科研優(yōu)勢，整合多方資源、匯聚發(fā)展合力，精細化推進項目開展，高質(zhì)量完成國家重點研發(fā)計劃項目，推動氮化鎵基發(fā)光器件技術(shù)創(chuàng)新，讓承擔國家級項目成為公司快速發(fā)展的重要契機。
該項目的順利實施，將促進我國相關(guān)顯示技術(shù)早日實現(xiàn)從“跟著研究再創(chuàng)新”的科技創(chuàng)新模式向“引領全球顯示”技術(shù)發(fā)展轉(zhuǎn)變。格恩半導體作為本項目的參與者，亦將憑借項目經(jīng)驗進一步提升氮化鎵基光電器件等產(chǎn)品創(chuàng)新能力與技術(shù)領先優(yōu)勢，為業(yè)界提供更高端的產(chǎn)品和優(yōu)質(zhì)的服務，賦能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
